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分立半导体
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STGP4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
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数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6388
76.388
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
68 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP4M65DF2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，STGP4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF7904TRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 7.6A
1:¥6.6105
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.8307
1,000:¥3.0284
4,000:¥3.0284
参考库存:10666
IPG20N06S4L26AATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
1:¥7.2998
10:¥6.2828
100:¥4.8251
500:¥4.2601
5,000:¥2.9945
10,000:查看
参考库存:8895
T435-800B-TR
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 4A TRIACS
1:¥8.7575
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
2,500:¥3.5256
10,000:查看
参考库存:12784
IGW75N60H3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥60.3194
10:¥54.5564
25:¥52.0252
100:¥45.1096
参考库存:5097
FCP9N60N
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SupreMOS 9A
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.4469
500:¥10.0683
参考库存:5682
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