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分立半导体
TK22A10N1,S4X参考图片

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TK22A10N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh12.2ohm 10V 10uA VDS100V
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数量单价合计
1
¥10.9158
10.9158
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.7348
673.48
500
¥5.9438
2971.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK22A10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK22A10N1,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B15-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 15 Volt 0.5W 2% AUTO
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.84524
500:¥0.72207
10,000:¥0.32318
20,000:查看
参考库存:25126
GP10-4007-E3/54
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
1:¥3.3787
10:¥1.9662
100:¥1.1413
500:¥0.92999
5,500:¥0.59212
11,000:查看
参考库存:25129
BZT52B51-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 51 Volt 0.5W 2%
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:25132
AZ23C24-G3-08
Vishay
分立半导体
稳压二极管 24 Volt 0.3W 5% CA
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:25135
DZ23C7V5-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 7.5Volt 0.3 Watt 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:25138
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