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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
系列	RN1302
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	28 mg

商品其它信息

优势价格，RN1302,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NTB082N65S3F	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG	1:¥36.4199 10:¥30.962 100:¥26.8149 250:¥25.4363 500:¥22.826 800:¥22.826	参考库存:3557
QJ6016RH4TP	Littelfuse	分立半导体	PDF数据手册	双向可控硅 60V 16A 35mA HI TEMP TO-220AB Non-Isolate	1:¥23.5153 10:¥18.9049 100:¥17.2099 250:¥15.594 500:¥13.9894	参考库存:4014
IPL60R065P7AUMA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET HIGH POWER_NEW	1:¥54.0931 10:¥48.8725 25:¥46.6464 100:¥40.4992 3,000:¥29.5834	参考库存:4731
A1P25S12M3	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE	1:¥281.7768 5:¥278.8501 10:¥259.8774 25:¥248.2723	参考库存:3455
SJ6016LTP	Littelfuse	分立半导体	PDF数据手册	SCR 16A High Temp Thyristor	1:¥15.6731 10:¥12.6786 100:¥10.1474 500:¥8.8366 1,000:¥7.3224	参考库存:3984