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分立半导体
CSD17483F4T参考图片

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CSD17483F4T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.6894
26.894
100
¥0.99892
99.892
250
¥0.99892
249.73
1,000
¥0.7684
768.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
850 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.01 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD17483F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2.4 S
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.6 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17483F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 40V 110A 1.2mOhm N PowerTrench MOSFET
1:¥24.5888
10:¥20.905
100:¥18.1365
250:¥17.2099
800:¥12.9837
2,400:查看
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肖特基二极管与整流器 10 Amp 45 Volt 200 Amp IFSM
1:¥4.8364
10:¥3.7403
100:¥2.7798
500:¥2.2826
6,500:¥1.5029
参考库存:11048
分立半导体
MOSFET 30V 8.2A 19mOhm 4.8 Qg
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:7727
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 1.3 Watt 5%
1:¥2.9945
10:¥2.0001
100:¥0.97632
500:¥0.83733
5,000:¥0.43053
10,000:查看
参考库存:22715
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 1000 Volt 500ns
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥1.1978
500:¥0.96841
3,000:¥0.65314
6,000:查看
参考库存:17197
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