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分立半导体
TK31N60X,S1F参考图片

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TK31N60X,S1F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
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数量单价合计
1
¥41.9569
41.9569
10
¥33.7305
337.305
30
¥33.7305
1011.915
100
¥30.736
3073.6
250
¥27.7415
6935.375
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30.8 A
Rds On-漏源导通电阻
73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK31N60X
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，TK31N60X,S1F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STU5NK50Z
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 500 V, 1.22 typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFETs in I PAK, DPAK, TO 220, TO 220FP and IPAK packages
3,000:¥2.5425
12,000:¥2.4521
27,000:¥2.3617
参考库存:28640
1N5248BUR-1E3/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥24.5097
291:¥24.5097
500:¥21.9785
1,000:¥18.5207
2,500:¥17.5941
参考库存:28643
VS-16RIA120M
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3
100:¥129.9387
300:¥118.4127
500:¥110.8078
参考库存:28646
1N5991CE3/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥31.0411
230:¥31.0411
500:¥27.8206
1,000:¥23.5153
2,500:¥22.2836
参考库存:28649
1N647-1E3
Microsemi
分立半导体
整流器
1:¥23.6622
10:¥19.0518
100:¥17.3681
250:¥15.6731
参考库存:28652
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