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分立半导体
AUIRFR3806TRL参考图片

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AUIRFR3806TRL

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms
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库存：4,824(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.006
3503
3,000
¥4.9042
14712.6
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
15.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
41 S
下降时间
47 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
49 ns
典型接通延迟时间
6.3 ns
零件号别名
SP001521230
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，AUIRFR3806TRL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFPS3810PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC
1:¥67.3932
10:¥60.8618
25:¥58.0933
100:¥50.4093
参考库存:9070
2SK2145-BL(TE85L,F
Toshiba
分立半导体
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥5.3788
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7967
参考库存:17403
SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥8.2264
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
2,500:¥3.7855
参考库存:58571
00670
Vicor
分立半导体
整流器 Diode, 1 Amp
1:¥11.6842
5:¥11.3678
10:¥11.30
25:¥10.6785
50:¥10.2943
参考库存:3461
BSC070N10NS3 G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0286
1,000:¥5.5483
5,000:¥5.5483
参考库存:13281
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