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分立半导体
CSD13381F4T参考图片

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CSD13381F4T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V,N-Ch FemtoFET MOSFET
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库存:9,054(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.6103
26.103
100
¥0.97632
97.632
250
¥0.97632
244.08
1,000
¥0.75258
752.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
2.1 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
850 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.06 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD13381F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
3.2 S
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.5 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
3.7 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD13381F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 1.0 Amp 125 Volt
1:¥4.3844
10:¥3.3561
100:¥2.4973
500:¥2.0566
1,000:¥1.582
参考库存:5008
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 3.9V 5% 1.3W 2-Pin
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
5,000:¥0.33787
参考库存:14518
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN PNP 30V 1.5A 5PIN
1:¥3.616
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:4069
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 0.5W 5%
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.5989
500:¥0.50737
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:21185
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
1:¥6.9156
10:¥5.9551
100:¥4.5765
500:¥4.0454
5,000:¥2.8363
10,000:查看
参考库存:13128
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