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分立半导体
IRF3710ZSTRLPBF参考图片

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IRF3710ZSTRLPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
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数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4354
3717.7
800
¥6.1585
4926.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
59 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
82 nC
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001570170
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRF3710ZSTRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.23052
20,000:查看
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100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
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1:¥22.1254
10:¥18.7467
100:¥14.9838
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1,000:¥10.9158
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