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分立半导体
CSD87312Q3E参考图片

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CSD87312Q3E

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
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库存：5,599(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6105
66.105
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.4974
2248.7
2,500
¥3.1527
7881.75
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
6.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD87312Q3E
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
39 S
下降时间
2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
单位重量
31.200 mg
商品其它信息
优势价格，CSD87312Q3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N4120UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥81.8346
200:¥74.6139
500:¥69.7662
1,000:¥64.0032
参考库存:50437
JAN1N4372C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥60.0143
131:¥60.0143
200:¥55.1666
500:¥50.2511
1,000:¥43.7988
参考库存:50440
JAN1N5416/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥85.5184
250:¥77.9926
500:¥72.998
1,000:¥66.9299
参考库存:50443
JANTXV1N755C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥97.3608
148:¥97.3608
200:¥88.7502
500:¥83.0663
1,000:¥76.1507
参考库存:50446
JAN1N4122C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥76.9982
200:¥70.1504
500:¥65.6191
1,000:¥60.2403
参考库存:50449
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