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分立半导体
CSD83325LT参考图片

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CSD83325LT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V Dual N ch MOSFET
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库存:4,922(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.5313
45.313
100
¥2.9041
290.41
250
¥2.9041
726.025
1,000
¥2.3278
2327.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
BGA-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
5.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.2 mm
长度
2.2 mm
产品
Power MOSFET
系列
CSD83325L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.15 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
36 S
下降时间
589 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
353 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
711 ns
典型接通延迟时间
205 ns
单位重量
1.500 mg
商品其它信息
优势价格,CSD83325LT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 40V Vds 12V Vgs SOT-23
1:¥3.3787
10:¥2.26
100:¥1.5255
500:¥1.2204
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.92208
参考库存:78701
分立半导体
IGBT 模块 EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC
1:¥2,314.4999
5:¥2,258.7909
参考库存:1109
分立半导体
IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
2,500:¥5.0059
10,000:查看
参考库存:1286
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
4,000:¥1.8758
参考库存:20216
分立半导体
MOSFET N-CHAN 80V 17A
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6724
1,500:¥1.6724
参考库存:6715
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