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分立半导体
SSM3K15F,LF参考图片

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SSM3K15F,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
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库存:8,632(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.92208
922.08
3,000
¥0.76049
2281.47
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263MOD-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM3K15F
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
25 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
180 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格,SSM3K15F,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
1:¥1,329.7162
5:¥1,297.6694
10:¥1,265.4757
25:¥1,247.7234
参考库存:2152
分立半导体
整流器 high volt rectifier
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:3545
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
1:¥17.515
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:8379
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥14.9838
500:¥13.0628
800:¥10.8367
参考库存:3472
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
1,000:¥15.7522
2,000:查看
参考库存:3144
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