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分立半导体
SSM3J15CT(TPL3)参考图片

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SSM3J15CT(TPL3)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -1.0A -30V -20VGS
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.034
20.34
100
¥0.85315
85.315
1,000
¥0.5763
576.3
10,000
¥0.37629
3762.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CST3-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Pd-功率耗散
100 mW
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.38 mm
长度
1 mm
系列
SSM3J15
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.6 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
175 ns
典型接通延迟时间
65 ns
单位重量
0.750 mg
商品其它信息
优势价格,SSM3J15CT(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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