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分立半导体
CSD18502KCS参考图片

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CSD18502KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40-V, N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs
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库存:3,148(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.1364
16.1364
10
¥13.673
136.73
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
212 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
52 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
259 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD18502KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
138 S
下降时间
9.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,CSD18502KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A,50V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER
1:¥4.4522
10:¥4.068
100:¥2.6329
1,000:¥0.88366
5,000:¥0.72998
参考库存:28029
分立半导体
整流器 3A, 600V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER
1:¥4.2262
10:¥3.5369
100:¥2.6555
500:¥1.9436
1,250:¥1.4577
2,500:¥1.3447
参考库存:28032
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A, 40V, AXIAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥4.2262
10:¥3.2996
100:¥2.2826
500:¥1.5707
1,250:¥1.1752
参考库存:28035
分立半导体
稳压二极管 3W,160V,5%,ZENER,SMB
1:¥4.7686
10:¥2.7685
100:¥2.2035
500:¥1.3108
850:¥0.97632
参考库存:28038
分立半导体
稳压二极管 1.0W, VR=3.6V
1:¥4.3053
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.1526
2,000:¥0.99101
参考库存:28041
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