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分立半导体
HN1A01FE-Y,LF参考图片

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HN1A01FE-Y,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) ES6 PLN
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.6724
16.724
100
¥0.71416
71.416
1,000
¥0.5537
553.7
4,000
¥0.41471
1658.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.1 V
最大直流电集电极电流
- 150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
系列
HN1A01
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
集电极连续电流
- 150 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，HN1A01FE-Y,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZV55C6V8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1:¥33.2672
10:¥26.7358
100:¥24.3628
250:¥21.9785
参考库存:28421
2N6352
Microsemi
分立半导体
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥215.9995
250:¥198.4732
500:¥182.8792
参考库存:28424
1N4742A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥37.8776
10:¥30.4309
100:¥27.7415
200:¥25.0521
500:¥22.5096
参考库存:28427
NVMFS4C03NWFT3G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.4184
500:¥5.6726
5,000:¥3.9776
10,000:查看
参考库存:28430
NVMFS4C01NWFT3G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
5,000:¥7.4693
10,000:查看
参考库存:28433
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