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分立半导体
2N7000-G参考图片

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2N7000-G

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库存:5,479(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.8024
28.024
25
¥2.373
59.325
100
¥2.1357
213.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
100 mmho
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,2N7000-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 30-34V 10mA SOD-123FL; PMDU
1:¥2.9945
10:¥2.3165
100:¥1.2543
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:5145
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
1,500:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3617
参考库存:46115
分立半导体
稳压二极管 20 Volt 0.2W 2%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:11650
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.5989
20,000:查看
参考库存:11702
分立半导体
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥18.1365
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3154
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