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分立半导体
TK20E60W,S1VX参考图片

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TK20E60W,S1VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
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库存:3,351(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.8098
37.8098
10
¥30.3518
303.518
100
¥27.6624
2766.24
250
¥24.973
6243.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
165 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK20E60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK20E60W,S1VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.3334
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6,000:¥2.3843
12,000:¥2.3052
27,000:¥2.2148
参考库存:35641
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