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分立半导体
TK65E10N1,S1X参考图片

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TK65E10N1,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
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数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥16.5206
165.206
50
¥16.5206
826.03
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.6051
5802.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
148 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
192 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK65E10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
44 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK65E10N1,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ27DE3/TR12
Microsemi
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稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
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IPP041N12N3GXK
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500:¥26.8149
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VS-50WQ06FNTRLHM3
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3,000:¥6.7009
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SMBJ5952AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.7912
6,000:¥4.6895
9,000:¥4.6104
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SE30AFBHM3/6B
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分立半导体
整流器 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
14,000:¥0.91417
28,000:¥0.83733
参考库存:28207
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