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分立半导体
TK100A10N1,S4X参考图片

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TK100A10N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
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库存：2,304(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.8151
30.8151
10
¥24.747
247.47
100
¥22.5887
2258.87
250
¥20.3626
5090.65
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK100A10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK100A10N1,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ19D10/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.8195
4,500:¥5.6048
9,000:¥5.3788
参考库存:34195
JANTXV1N4616UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥111.418
130:¥111.418
200:¥101.587
500:¥95.0556
1,000:¥87.1343
参考库存:34198
JANTX1N4619UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥112.5706
200:¥102.6605
500:¥95.9709
1,000:¥88.0609
参考库存:34201
JAN1N4971US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥91.7447
250:¥83.5974
500:¥78.2186
1,000:¥71.7663
参考库存:34204
JANS1N6354US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥146.1542
200:¥134.0858
500:¥127.6335
参考库存:34207
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