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分立半导体
TK100E06N1,S1X参考图片

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TK100E06N1,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA
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数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥15.5262
155.262
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK100E06N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK100E06N1,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
V40M150C-M3/4W
Vishay Semiconductors
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1N5919PE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:25194
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