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FQA9N90-F109

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数量单价合计
1
¥26.4307
26.4307
10
¥22.4418
224.418
100
¥19.5151
1951.51
250
¥18.5207
4630.175
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
8.6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
240 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA9N90_F109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
135 ns
典型接通延迟时间
45 ns
零件号别名
FQA9N90_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SFA806G C0
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2,000:¥3.4239
4,000:¥3.3448
10,000:¥3.0623
24,000:¥2.9493
参考库存:26524
1N4370A BK
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10,000:¥1.2543
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参考库存:26527
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5,000:¥1.4238
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2,000:¥4.1923
参考库存:26533
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