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分立半导体
SSM6N37FE,LM参考图片

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SSM6N37FE,LM

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V
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库存:6,478(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥1.921
19.21
100
¥0.84524
84.524
1,000
¥0.69156
691.56
4,000
¥0.53788
2151.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms, 2.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6N37
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns, 36 ns
典型接通延迟时间
18 ns, 18 ns
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6N37FE,LM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,500:¥1.3108
4,500:查看
参考库存:8350
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
2,000:¥0.7684
参考库存:3619
分立半导体
整流器 3.0 Amp 1000 Volt 100 Amp IFSM
1:¥7.3789
10:¥6.0907
100:¥4.6669
500:¥4.0228
2,500:¥2.9606
5,000:查看
参考库存:13422
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HV 300mA 160V
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:8334
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.5W 5%
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.5989
500:¥0.50737
1,000:¥0.33787
2,500:¥0.30736
参考库存:8359
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