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分立半导体
STGP14NC60KD参考图片

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STGP14NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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库存:6,411(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9947
3497.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
Pd-功率耗散
28 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP14NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
7 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
150 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP14NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY 5V 1A PMDU TR
1:¥3.842
10:¥3.164
100:¥1.9323
1,000:¥1.4916
3,000:¥1.2769
参考库存:8748
分立半导体
SCR 8.0 Amp 50 Volt
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8365
参考库存:6300
分立半导体
整流器 Standard Rectifier (trr more than 500ns)
1:¥467.8765
2:¥459.2772
5:¥454.0453
10:¥440.2932
参考库存:5118
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP G.P. Transistor 3 Pin
1:¥160.8216
10:¥156.9118
100:¥154.0642
250:¥148.3012
参考库存:5129
分立半导体
MOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.3902
2,500:¥5.7065
5,000:查看
参考库存:49321
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