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分立半导体
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CSD18504Q5AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存：5,719(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.6896
66.896
100
¥5.1528
515.28
250
¥5.1528
1288.2
500
¥4.5539
2276.95
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
77 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18504Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
71 S
开发套件
EM1402EVM
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.8 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns
商品其它信息
优势价格，CSD18504Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MCR8SMG
Littelfuse
分立半导体
SCR 600V 8A
1:¥11.6051
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.3054
参考库存:1314
APT25GN120BG
Microsemi
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥58.5566
10:¥52.7145
25:¥48.025
100:¥43.3355
参考库存:1136
BZX84B3V3-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 350mW 3.3V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.3108
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.22261
参考库存:14559
BZT52-C5V1J
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 BZT52-C5V1/SOD123 SOD2
1:¥1.4577
10:¥1.3334
100:¥0.46895
1,000:¥0.31527
参考库存:6320
APT20M38BVRG
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥106.3443
10:¥96.6602
25:¥89.3604
50:¥84.524
参考库存:1163
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