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分立半导体
FDD6N50TM-WS参考图片

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FDD6N50TM-WS

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库存:6,309(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.8817
68.817
100
¥5.2884
528.84
500
¥4.6669
2333.45
1,000
¥3.6838
3683.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD6N50
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
FDD6N50TM_WS
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD6N50TM-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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SCR Thyristors - E-PUK
12:¥782.9996
36:¥756.9531
60:¥746.5006
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18,000:¥0.89157
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稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.3334
12,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
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1,250:¥5.7969
2,500:¥5.3788
5,000:¥5.1754
10,000:¥4.7912
参考库存:32929
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