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分立半导体
CSD17579Q3AT参考图片

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CSD17579Q3AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
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库存:5,989(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.5764
257.64
250
¥2.5764
644.1
1,000
¥2.0679
2067.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
11.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
29 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17579Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
37 S
下降时间
1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
2 ns
单位重量
27.300 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17579Q3AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A,800V, ULTRAFAST SMD RECTIFIER
1:¥4.5313
10:¥4.1471
100:¥2.6894
1,000:¥0.89948
1,800:¥0.7458
参考库存:5232
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123FL
1:¥4.0002
10:¥2.2148
100:¥1.1865
500:¥0.95259
2,500:¥0.5537
10,000:查看
参考库存:30078
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0 Amp 40 Volt 150 Amp IFSM
1:¥3.616
10:¥2.8476
100:¥1.9436
500:¥1.3334
1,800:¥0.89157
3,600:查看
参考库存:1933
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=20V, IO=0.5A
1:¥3.4578
10:¥1.9097
100:¥0.91417
1,000:¥0.63054
3,000:¥0.48364
参考库存:4623
分立半导体
稳压二极管 7.5 to 8.4V; 40mA 1000mW
1:¥3.3787
10:¥2.7685
100:¥1.6837
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:1891
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