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分立半导体
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SGP10N60RUFDTU

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数量单价合计
1
¥14.9838
14.9838
10
¥12.6786
126.786
100
¥10.1474
1014.74
500
¥8.9157
4457.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
75 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGP10N60RUFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
9.4 mm
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
16 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SGP10N60RUFDTU_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，SGP10N60RUFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BAT 17-07 E6327
Infineon Technologies
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Silicon Schottky Diodes 4V 130mA
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.9605
参考库存:3347
FF150R12RT4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 150A
1:¥480.3291
5:¥469.5715
10:¥451.209
25:¥436.6772
参考库存:1984
ZTX651
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分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:5150
CSD19531Q5AT
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9157
250:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:8897
SIRA06DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.0626
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
3,000:¥4.972
参考库存:4440
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