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分立半导体
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SGL50N60RUFDTU

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数量单价合计
1
¥57.7882
57.7882
10
¥52.2512
522.512
25
¥49.7878
1244.695
100
¥43.2564
4325.64
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGL50N60RUFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
26 mm
长度
20 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
375
子类别
IGBTs
零件号别名
SGL50N60RUFDTU_NL
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格，SGL50N60RUFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F12-25R12KT4G
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 25A
1:¥748.4216
5:¥734.6695
10:¥701.6283
25:¥678.2712
参考库存:4125
FP50R12KT4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
1:¥797.7574
5:¥783.0787
10:¥747.8792
25:¥722.9062
参考库存:4117
APT38F50J
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥198.4732
5:¥189.5688
10:¥183.6476
25:¥168.7429
参考库存:4131
IPA65R065C7
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥56.2514
10:¥50.7935
25:¥48.4883
100:¥42.1038
参考库存:4604
B485F-2
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 DIODE MODULE 480VAC 50ADC 1200VP
1:¥362.843
10:¥345.554
25:¥337.7118
50:¥329.8018
参考库存:4117
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