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分立半导体
IFN147参考图片

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IFN147

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 2.4mW
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数量单价合计
1
¥61.698
61.698
10
¥50.5562
505.562
100
¥41.9569
4195.69
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18-3
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 40 V
Vgs=0时的漏-源电流
30 mA
Id-连续漏极电流
1 uA
Pd-功率耗散
300 mW
系列
IFN14
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
40 mS
闸/源截止电压
- 1.2 V
工厂包装数量
1
商品其它信息
优势价格,IFN147的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:24772
分立半导体
分立半导体模块 100 Amp 60 Volt 15000 Amp IFSM
1:¥315.8124
5:¥307.4391
10:¥295.5289
参考库存:24775
分立半导体
SCR模块 HIGH POWER THYR / DIO
1:¥11,310.622
参考库存:24778
分立半导体
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:24781
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,844.6233
5:¥1,799.1295
10:¥1,755.8731
25:¥1,692.0168
参考库存:24784
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