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分立半导体
TK5P50D(T6RSS-Q)参考图片

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TK5P50D(T6RSS-Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
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数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.2264
82.264
100
¥6.3054
630.54
500
¥5.6048
2802.4
2,000
¥3.9211
7842.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
80 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK5P50D
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
40 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK5P50D(T6RSS-Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI2314EDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V
1:¥6.3732
10:¥5.1528
100:¥3.9098
500:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.3391
参考库存:35015
BUJ100,126
WeEn Semiconductors
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT
10,000:¥0.80682
30,000:¥0.73789
50,000:¥0.71416
100,000:¥0.68365
参考库存:35018
CD214B-R2100
Bourns
分立半导体
整流器 GLASS PASS RECTIFIER 100VOLT
12,000:¥0.68365
24,000:¥0.61472
45,000:¥0.53788
参考库存:35021
GLL4749-E3/97
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 24 Volt 1 Watt 10%
5,000:¥1.5594
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4464
参考库存:35024
DMP3028LPSQ-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET GenPurposeTranstr
暂无价格
参考库存:35027
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