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分立半导体
MT3S111P(TE12L,F)参考图片

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MT3S111P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
1,000
¥2.938
2938
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S111P
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
8 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格，MT3S111P(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5242B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
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稳压二极管 350mW ZENER
3,000:¥0.4068
9,000:¥0.34578
24,000:¥0.32996
45,000:¥0.30736
99,000:¥0.26894
参考库存:18809
BAL99-G3-18
Vishay Semiconductors
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二极管 - 通用，功率，开关 70 Volt 250mA 6ns 2A IFSM
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.5989
500:¥0.50737
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:18812
VN0109N3-G P014
Microchip Technology
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥4.1471
10:¥3.842
25:¥3.1527
100:¥2.9154
250:¥2.6894
2,000:¥2.6894
参考库存:18815
SBR2060CTI
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 SBR Diode
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.0227
参考库存:18818
SBR660CTT4G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DPAK 2W SMT RECT PBF
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0512
500:¥6.2263
2,500:¥4.3618
10,000:查看
参考库存:18821
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