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分立半导体
TK8S06K3L(T6L1,NQ)参考图片

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TK8S06K3L(T6L1,NQ)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
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1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.2998
72.998
100
¥5.6048
560.48
500
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2497.3
2,000
¥3.4578
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK8S06K3L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，TK8S06K3L(T6L1,NQ)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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