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分立半导体
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FS50R06W1E3_B11

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数量单价合计
1
¥278.7032
278.7032
5
¥275.7765
1378.8825
10
¥257.0298
2570.298
25
¥245.5038
6137.595
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
205 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS50R06W1E3B11BOMA1 SP000790740
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FS50R06W1E3_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3054
100:¥4.8251
500:¥4.2601
2,500:¥2.9945
10,000:查看
参考库存:4849
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 15MA 5V FT=5G
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:8434
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥2,586.7395
2:¥2,524.5782
5:¥2,497.6842
10:¥2,461.8745
参考库存:47250
分立半导体
整流器 Switching
1:¥33.1994
10:¥26.668
100:¥24.2837
250:¥21.8994
参考库存:3453
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:3809
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