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分立半导体
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FQD6N25TM

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库存:6,889(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.5991
45.991
100
¥2.9719
297.19
1,000
¥2.3843
2384.3
2,500
¥2.0001
5000.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
4.4 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD6N25
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2.3 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.5 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD6N25TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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97,500:¥0.45313
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5,000:¥1.4464
10,000:¥1.3447
25,000:¥1.2769
50,000:¥1.243
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4,000:¥3.1414
参考库存:27729
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