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分立半导体
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FQU10N20CTU

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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3449
53.449
100
¥3.4465
344.65
1,000
¥2.7685
2768.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
7.8 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.3 mm
长度
6.8 mm
系列
FQU10N20C
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
92 ns
工厂包装数量
5040
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
FQU10N20CTU_NL
单位重量
343.080 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TYN812RG
STMicroelectronics
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SCR THYRISTOR
1:¥11.6051
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10,000:查看
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500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:5285
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