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分立半导体
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AUIRFP4110

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET N-CHANNEL 75 / 80
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库存：1,658(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.7254
44.7254
10
¥38.0358
380.358
100
¥32.9621
3296.21
250
¥31.2784
7819.6
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
210 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
370 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
160 S
下降时间
88 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
67 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
78 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP001517386
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，AUIRFP4110的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BAT 17-07 E6327
Infineon Technologies
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Silicon Schottky Diodes 4V 130mA
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.9605
参考库存:3347
FF150R12RT4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 150A
1:¥480.3291
5:¥469.5715
10:¥451.209
25:¥436.6772
参考库存:1984
ZTX651
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:5150
CSD19531Q5AT
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9157
250:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:8897
SIRA06DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.0626
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
3,000:¥4.972
参考库存:4440
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