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分立半导体
IKW15N120T2参考图片

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IKW15N120T2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
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库存:5,245(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.4992
40.4992
10
¥34.4198
344.198
100
¥29.8094
2980.94
250
¥28.3517
7087.925
500
¥25.4363
12718.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
235 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N12T2XK SP000244961
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW15N120T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 1200V 55A Isolated
1:¥51.4828
10:¥46.33
25:¥42.262
50:¥41.1885
参考库存:5024
分立半导体
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:6562
分立半导体
MOSFET N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
3,000:¥6.4523
6,000:查看
参考库存:8478
分立半导体
肖特基二极管与整流器 150V 2A Schottky Barrier Rectifier
1:¥3.2996
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.81473
3,000:¥0.69156
参考库存:34512
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
2,500:¥4.1923
10,000:查看
参考库存:7597
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