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分立半导体
IRF3709PBF参考图片

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IRF3709PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC
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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.232
723.2
500
¥6.3958
3197.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
10.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
53 S
下降时间
9.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
171 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001570060
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRF3709PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5806C.TR
Semtech
分立半导体
整流器 150V 1A Ultrafast Rec Rectifier Diode
1:¥59.2459
10:¥47.4148
100:¥31.2784
250:¥30.51
500:¥29.041
参考库存:3528
CMOD4448 TR
Central Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 High Speed
1:¥3.9211
10:¥3.3335
100:¥2.1018
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:11063
CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode Schottky 30V, 1.5A
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.3165
500:¥1.7402
3,000:¥1.1639
6,000:查看
参考库存:38510
PDTC123YU,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:36814
NVLJD4007NZTAG
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
3,000:¥2.4295
参考库存:11097
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