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分立半导体
STGIPN3H60AT参考图片

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STGIPN3H60AT

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
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数量单价合计
1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.4773
544.773
25
¥51.9461
1298.6525
100
¥45.1096
4510.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
Pd-功率耗散
8 W
封装 / 箱体
NDIP-26L
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
高度
3.2 mm
长度
29.25 mm
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
系列
STGIPN3H60AT
宽度
12.55 mm
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
476
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
优势价格,STGIPN3H60AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
1:¥13.9894
10:¥11.6842
参考库存:3693
分立半导体
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
参考库存:8091
分立半导体
MOSFET Power Module - Mosfet
1:¥347.0117
5:¥335.4066
10:¥324.4908
25:¥300.0602
参考库存:2638
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 3.5 mOhms
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
参考库存:3078
分立半导体
SCR模块 Phse Cntrl Thyristrs 740A 2600V
1:¥1,148.2947
5:¥1,125.706
10:¥1,073.2288
25:¥1,050.7079
参考库存:2595
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