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分立半导体
TPN7R506NH,L1Q参考图片

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TPN7R506NH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥5.7743
57.743
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.9211
1960.55
5,000
¥2.7459
13729.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
53 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN7R506NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格，TPN7R506NH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ESH2B R4G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 2A, 100V, SUPER FAST SM RECTIFIER
6,000:¥0.85315
9,000:¥0.80682
参考库存:36000
S1MLHR2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 1000V, GLASS PASSIVATED SMF RECTIFIER
15,000:¥0.43844
22,500:¥0.39211
45,000:¥0.35369
97,500:¥0.32318
参考库存:36003
ES2DHR4
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 2A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER
6,000:¥0.89948
9,000:¥0.85315
参考库存:36006
SK310BHR5
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,100V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
3,400:¥1.5255
4,250:¥1.4577
参考库存:36009
MBRH240200
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器
50:¥345.6218
100:¥341.0114
250:¥321.9596
参考库存:36012
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