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分立半导体
IRF6623TRPBF参考图片

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IRF6623TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
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数量单价合计
1
¥13.673
13.673
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.2999
929.99
500
¥8.1473
4073.65
4,800
¥6.0455
29018.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-ST
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
9.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
4.85 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.95 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
4.5 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
9.7 ns
零件号别名
SP001526818
商品其它信息
优势价格，IRF6623TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5221B-B
Rectron
分立半导体
稳压二极管 500mW 2.4V 5%
28,000:¥0.15368
参考库存:51131
STGWT30H60DFB
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2156
250:¥17.289
参考库存:3947
STTH1R02QRL
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Recovery Diode Ultra Fast
1:¥2.7685
10:¥2.0566
100:¥1.12209
1,000:¥0.83733
6,000:¥0.67574
24,000:查看
参考库存:15317
STGW40H65DFB
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 40A trench gate field-stop IGBT
1:¥29.4252
10:¥25.0521
100:¥21.6734
250:¥20.5886
参考库存:3951
1PMT5947B/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
12,000:¥10.8367
参考库存:51140
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