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分立半导体
IRGP4069DPBF参考图片

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IRGP4069DPBF

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数量单价合计
1
¥59.777
59.777
10
¥54.014
540.14
25
¥51.5619
1289.0475
100
¥44.7254
4472.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
76 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535800
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP4069DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.458
1,000:¥6.1698
参考库存:4773
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
4,000:¥1.01474
参考库存:8425
分立半导体
MOSFET MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8704
1,000:¥5.4127
参考库存:2875
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.5032
500:¥6.4523
1,000:¥5.0963
3,000:¥5.0963
参考库存:8152
分立半导体
MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8873
250:¥5.8873
500:¥5.198
参考库存:2590
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