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分立半导体
IRF6218PBF参考图片

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IRF6218PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC
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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
1,000
¥8.9157
8915.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SP001564812
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRF6218PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington
1:¥4.4522
10:¥3.6838
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
2,500:¥1.4803
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1:¥7.8422
10:¥6.3054
100:¥5.5144
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
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分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.8024
参考库存:7235
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 200V LOW VF
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
800:¥4.6104
参考库存:7844
分立半导体
肖特基二极管与整流器 12.5A 35V Low Vf
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.684
800:¥6.4184
参考库存:2988
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