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分立半导体
IRFR13N20DTRPBF参考图片

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IRFR13N20DTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC
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库存：6,412(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9892
9.9892
10
¥8.5315
85.315
100
¥6.5879
658.79
500
¥5.8195
2909.75
1,000
¥4.5991
4599.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
235 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001567488
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRFR13N20DTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJH1CM7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥53.788
10:¥47.9459
25:¥43.1886
50:¥41.2676
参考库存:23719
MG1275W-XN2MM
Littelfuse
分立半导体
IGBT 模块 1200V 75A IGBT
60:¥901.1072
参考库存:23722
JAN1N6642UB
Microsemi
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Switching
100:¥176.8902
250:¥162.3584
500:¥154.5275
参考库存:23725
RJH60F6DPQ-A0#T0
Renesas Electronics
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥46.9515
10:¥41.8778
25:¥37.7307
50:¥36.0357
参考库存:23728
MG12400D-BN2MM
Littelfuse
分立半导体
IGBT 模块 1200V 400A Dual
60:¥1,287.9175
参考库存:23731
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