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分立半导体
IRG7PH42UDPBF参考图片

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IRG7PH42UDPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Generic Ind App
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数量单价合计
1
¥105.9601
105.9601
10
¥97.4286
974.286
25
¥93.3606
2334.015
100
¥82.2188
8221.88
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
320 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001537274
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRG7PH42UDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMSZ5228B-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:51010
MMBZ5255C-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 28 Volt 0.225W 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:51013
BZT52-B11X
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 BZT52-B11/SOD123/SOD2
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
参考库存:51016
MMBZ5260B-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 43 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66896
500:¥0.56839
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:51019
MMBZ5226C-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.3 Volt 0.225W 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:51022
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