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分立半导体
SISB46DN-T1-GE3参考图片

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SISB46DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存：7,494(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥7.0512
70.512
100
¥5.4805
548.05
500
¥4.1019
2050.95
1,000
¥3.3222
3322.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
11.71 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 16 V, 20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
23 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SIS
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
56 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
16 ns
商品其它信息
优势价格，SISB46DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBR20100FCT-BP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A SCHOTTKY RECTIFIER
1,000:¥7.8422
2,000:¥7.0851
5,000:¥6.9947
参考库存:27868
PTFB182503FL-V2-R250
Wolfspeed / Cree
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥823.8039
参考库存:27871
QPD2796
Qorvo
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V
250:¥648.6878
参考库存:27874
1N2128AR
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 50V 60A REV Leads Std. Recovery
300:¥60.3985
500:¥56.5565
1,000:¥51.867
参考库存:27877
D1FH3-5073
Shindengen
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VRM=30 IFSM=60
7,500:¥3.2996
22,500:¥3.0849
参考库存:27880
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