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分立半导体
IRF9530NPBF参考图片

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IRF9530NPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4297
64.297
100
¥4.9381
493.81
500
¥4.3618
2180.9
1,000
¥3.4465
3446.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
3.2 S
下降时间
46 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SP001570634
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRF9530NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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24,000:¥0.20792
45,000:¥0.1921
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7,000:¥1.2769
10,000:¥1.1865
25,000:¥1.13
50,000:¥1.09836
参考库存:34009
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