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分立半导体
SIHG47N65E-GE3参考图片

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SIHG47N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:3,244(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥62.0822
62.0822
10
¥55.935
559.35
25
¥50.9404
1273.51
100
¥45.9458
4594.58
250
¥42.262
10565.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
72 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
182 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
103 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
87 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
156 ns
典型接通延迟时间
47 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG47N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 800 Volt 4.0 Amp Glass Passivated
1:¥10.6785
10:¥9.605
100:¥7.6501
500:¥6.4297
参考库存:4107
分立半导体
双向可控硅 8A 双向可控硅
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9269
2,500:¥5.3449
5,000:查看
参考库存:7170
分立半导体
变容二极管 Ls=.45nH Single SOD-882
1:¥4.4522
10:¥3.9211
100:¥3.0171
250:¥2.4521
3,000:¥1.7176
6,000:查看
参考库存:3174
分立半导体
稳压二极管 200MW 7.5V
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:5944
分立半导体
稳压二极管 500MW 22V
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:5976
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