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分立半导体
IRFB3307PBF参考图片

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IRFB3307PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC
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库存:4,129(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.3736
143.736
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
1,000
¥8.2942
8294.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
130 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001555972
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB3307PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥7.2207
10:¥6.1585
100:¥4.7234
500:¥4.181
800:¥3.2996
参考库存:9856
分立半导体
桥式整流器 VRM=600 IFSM=170
1:¥34.352
10:¥29.6625
100:¥26.5098
250:¥24.747
参考库存:19390
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥72.772
10:¥65.4722
25:¥59.6301
100:¥53.8671
参考库存:19393
分立半导体
稳压二极管 200MW 9.1V
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:19396
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rect
3,000:¥1.01474
10,000:¥1.01474
参考库存:19399
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