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分立半导体
IRFS3206TRRPBF参考图片

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IRFS3206TRRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
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库存：3,517(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥18.3625
183.625
100
¥15.9104
1591.04
250
¥15.0629
3765.725
500
¥13.5261
6763.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
210 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
210 S
下降时间
83 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
82 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001573508
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRFS3206TRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRFS3307ZTRL
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET 75V 120A 5.8 mOhm Automotive MOSFET
1:¥25.199
10:¥21.4361
100:¥18.5998
250:¥17.5941
800:¥13.3679
2,400:查看
参考库存:23912
JANTXV1N829UR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥331.4855
5:¥313.5863
10:¥310.0494
25:¥286.7714
参考库存:23915
FS100R12KT4GPBPSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 LOW POWER ECONO
暂无价格
参考库存:23918
SD41
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥478.4081
2:¥469.6506
5:¥464.2718
10:¥450.2824
参考库存:23921
UZ8720
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥227.9888
5:¥217.7623
10:¥210.9258
25:¥193.8628
参考库存:23924
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