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分立半导体
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2SK879-Y(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
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3.4578
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.5933
159.33
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.01474
3044.22
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
JFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-3
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 30 V
Vgs=0时的漏-源电流
1.2 mA
Id-连续漏极电流
6.5 mA
Pd-功率耗散
100 mW
系列
2SK879
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
JFET
商标
Toshiba
闸/源截止电压
- 5 V
工厂包装数量
3000
单位重量
6.200 mg
商品其它信息
优势价格，2SK879-Y(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
参考库存:34619
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